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晶体管
ALD1106PBL参考图片

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ALD1106PBL

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库存:5,233(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥32.7361
327.361
25
¥29.4252
735.63
50
¥28.6568
1432.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-14
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.8 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD1106P
晶体管类型
4 N-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
1.620 g
商品其它信息
优势价格,ALD1106PBL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 60V HEFET
5,000:¥10.8367
参考库存:23301
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:23306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥462.2717
参考库存:23311
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF
2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
参考库存:23316
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.842
100:¥2.9041
500:¥2.1244
2,500:¥1.4577
10,000:查看
参考库存:23321
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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