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晶体管
STAC1011-350参考图片

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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,STAC1011-350的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
3,000:¥4.5539
参考库存:12524
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:18161
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.3391
参考库存:81168
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
5,000:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:24715
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,500:¥9.831
5,000:查看
参考库存:40897
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    50万现货SKU

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