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晶体管
SIDR610DP-T1-GE3参考图片

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SIDR610DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
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库存：33,636(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥21.9785
219.785
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.515
4378.75
3,000
¥12.5995
37798.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
39.6 A
Rds On-漏源导通电阻
31.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格，SIDR610DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:29092
SI4364DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 20A 1.6W
2,500:¥13.3679
5,000:¥12.8368
参考库存:29097
APTGT300A60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥924.6112
参考库存:29102
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:29107
TSM4ND60CI RLG
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晶体管
MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥3.8759
6,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:29112

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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