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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN3303R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	56
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP10LN80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package	1:¥18.7467 10:¥15.9104 100:¥12.7577 500:¥11.1418	参考库存:5799
FMB2222A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose	1:¥3.3787 10:¥2.3617 100:¥1.08367 1,000:¥0.83733 3,000:¥0.71416	参考库存:69711
NSVEMD4DXV6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR	1:¥2.9945 10:¥2.2487 100:¥1.2204 1,000:¥0.91417 8,000:¥0.73789 24,000:查看	参考库存:41228
IPB180P04P4L-02	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2	1:¥22.2836 10:¥18.9049 100:¥16.3624 250:¥15.594 500:¥13.9894 1,000:¥11.752	参考库存:21415
APL502B2G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - Linear	1:¥370.5948 2:¥360.5378 5:¥350.5486 10:¥340.5594	参考库存:1582