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晶体管

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APTGT50TL601G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥453.5142
453.5142
5
¥439.7508
2198.754
10
¥426.8462
4268.462
25
¥400.1782
10004.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
176 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50TL601G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
8,000:¥0.791
24,000:查看
参考库存:75024
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:90766
晶体管
MOSFET -60V -15.5A P-Channel
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9719
2,500:¥2.5086
参考库存:116958
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥24.3628
10:¥21.7412
100:¥17.8314
250:¥15.368
2,000:¥11.2209
参考库存:43570
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:23192
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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