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晶体管

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2SB1182TLQ

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
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1
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6.8365
10
¥5.6726
56.726
100
¥3.6612
366.12
1,000
¥2.9267
2926.7
2,500
¥2.4747
6186.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1182
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,2SB1182TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:29112
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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