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FS75R12KE3G

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数量单价合计
1
¥921.0856
921.0856
5
¥902.9491
4514.7455
10
¥860.834
8608.34
25
¥842.7766
21069.415
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3GBOSA1 SP000100418
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，FS75R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPG20N04S4L08AATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥9.9101
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100:¥6.5427
500:¥5.7743
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10,000:查看
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NVMFS5C682NLWFAFT1G
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DMP3007SFG-13
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NTMFS4C760NT1G
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1,500:¥1.8984
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100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:36793

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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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