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晶体管
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STP105N3LL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
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¥10.5994
105.994
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814.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP105N3LL
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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