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晶体管
SIR662DP-T1-GE3参考图片

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SIR662DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥12.8368
128.368
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
3,000
¥8.6784
26035.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SIR662DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR662DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC115EU3T106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47695
SQS405EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.8422
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:21752
CPH3461-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 350MA 250V 2.5V
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:127544
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥118.4918
10:¥108.9546
25:¥104.4233
100:¥91.982
2,000:¥67.7774
参考库存:4511
IRF135S203
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
1:¥29.4252
10:¥24.973
100:¥21.6734
250:¥20.5886
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:7478

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    50万现货SKU

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