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晶体管
SIS862DN-T1-GE3参考图片

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SIS862DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:60,333(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.7291
572.91
500
¥4.9381
2469.05
3,000
¥4.9381
14814.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SIS862DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 41V 60V
4,000:¥3.0058
参考库存:31584
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:49627
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:434629
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH 120Vcbo 5.0Vebo
2,000:¥7.4241
4,000:¥7.1416
10,000:¥6.8704
参考库存:31593
晶体管
IGBT 模块
1:¥111.9604
10:¥102.9656
25:¥98.6603
100:¥86.9083
参考库存:5136
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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