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晶体管
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IRG4BC20SPBF

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库存:6,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
19 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
19 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532494
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC20SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 230V 200W PNP
1:¥26.0465
10:¥22.1254
100:¥19.21
250:¥18.2156
参考库存:8753
晶体管
MOSFET Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
2,500:¥4.3279
10,000:查看
参考库存:19885
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥42.1038
10:¥35.8097
100:¥31.0411
250:¥29.4252
500:¥26.4307
800:¥26.4307
参考库存:5472
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7234
500:¥4.1697
参考库存:27334
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:12566
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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