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晶体管
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SD57060

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
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数量单价合计
1
¥636.2352
636.2352
5
¥624.551
3122.755
10
¥596.5044
5965.044
25
¥576.6051
14415.1275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm
长度
20.57 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57060
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD57060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA114ET,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:100382
2SC4617EBHZGTLR
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100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
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参考库存:33229
NVMFD5C478NLWFT1G
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100:¥4.6669
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1,500:¥2.8928
9,000:查看
参考库存:55896
BCX53,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:28338
10502
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥3,678.7941
5:¥3,447.8108
参考库存:27970

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