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晶体管
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IRG4IBC30UDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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数量单价合计
1
¥29.5834
29.5834
10
¥25.1312
251.312
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.6677
5166.925
500
¥18.5207
9260.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
45 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
17 A
高度
9.1 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540446
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRG4IBC30UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847B/SNVL
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847B/SN/SOT23/TO-236AB
10,000:¥0.13786
30,000:¥0.12317
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:33256
PBSS5480XZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BL Bipolar Discretes
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
10,000:¥1.356
25,000:¥1.2882
参考库存:33261
NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:33266
DMP2100UFU-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
10,000:¥1.1865
参考库存:33271
RN1117MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:33276

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