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晶体管
IRG4BC30KD-SPBF参考图片

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IRG4BC30KD-SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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库存:12,127(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
28 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001547676
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30KD-SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.825
参考库存:155435
晶体管
MOSFET N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:96182
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
1,500:¥2.3391
参考库存:54729
晶体管
MOSFET 40V SGL N-CH HEXFET 1.3mOhms
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
参考库存:13606
晶体管
MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:16893
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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