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晶体管
FDB0260N1007L参考图片

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FDB0260N1007L

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库存:4,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.1832
48.1832
10
¥40.9512
409.512
100
¥35.5046
3550.46
250
¥33.6514
8412.85
800
¥25.4363
20349.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
84 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
10.2 mm
系列
FDB0260N1007L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
59 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB0260N1007L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,000:¥13.447
2,000:查看
参考库存:11492
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥51.4037
10:¥46.4882
25:¥44.3412
100:¥38.4991
参考库存:4899
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:69121
晶体管
MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:28043
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:9230
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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