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晶体管
SIB912DK-T1-GE3参考图片

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SIB912DK-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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库存:35,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.8702
287.02
500
¥2.1018
1050.9
3,000
¥1.4351
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC75-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
216 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
系列
SIB
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SIB912DK-GE3
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,SIB912DK-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:7003
晶体管
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
1:¥10.7576
10:¥9.4468
100:¥7.458
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:42250
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
800:¥8.9948
2,400:¥8.9157
参考库存:11072
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:25909
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8704
500:¥6.0681
5,000:¥4.2488
10,000:查看
参考库存:23686
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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