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晶体管
IRGB30B60KPBF参考图片

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IRGB30B60KPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT
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库存:9,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.5888
245.888
100
¥21.2892
2128.92
250
¥20.2044
5051.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
370 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001546084
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRGB30B60KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6161
500:¥4.9607
3,000:¥3.4691
9,000:查看
参考库存:22865
晶体管
MOSFET BUK764R4-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:21587
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:12319
晶体管
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:122436
晶体管
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.2153
参考库存:17288
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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