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晶体管
NTJD4105CT1G参考图片

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NTJD4105CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
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库存：141,511(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
3,000
¥0.75258
2257.74
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 8 V
Id-连续漏极电流
630 mA, - 775 mA
Rds On-漏源导通电阻
375 mOhms, 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 1.8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC, 2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.55 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4105C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
506 ns, 36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
227 ns, 23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
83 ns, 13 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，NTJD4105CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF18N50T
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:21145
DMG1029SV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:689662
NVMD6N04R2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8 40V
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5258
500:¥6.6557
2,500:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:54839
IRF7769L2TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
4,000:¥19.436
参考库存:17751
IPP80N06S2LH5AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:7183

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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