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晶体管
STGF15H60DF参考图片

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STGF15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF15H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:31776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.4577
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:106603
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:124660
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
500:¥18.984
参考库存:6137
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:28117
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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