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晶体管
BSC082N10LS G参考图片

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BSC082N10LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:2,732(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.0627
5531.35
5,000
¥8.2264
41132
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC082N10LSGATMA1 BSC82N1LSGXT SP000379609
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BSC082N10LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:26916
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
参考库存:12358
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥312.897
5:¥302.3654
10:¥292.5344
25:¥270.5559
参考库存:42102
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 12V Switching PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:12145
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HI VLTG FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTOR
1:¥6.9156
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,500:¥2.5086
参考库存:22847
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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