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晶体管
IRF6811STRPBF参考图片

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IRF6811STRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0286
3514.3
4,800
¥4.9268
23648.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SQ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001530224
商品其它信息
优势价格,IRF6811STRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:32642
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8532
50,000:¥1.8193
参考库存:32647
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:32652
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor NPN High Curr
10,500:¥0.66896
31,500:¥0.61472
52,500:¥0.59212
105,000:¥0.56839
参考库存:32657
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
2,000:¥8.2264
4,000:¥7.91
10,000:¥7.6049
参考库存:32662
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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