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晶体管
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IRG4PF50WPBF

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数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.8723
448.723
25
¥42.8044
1070.11
100
¥37.1092
3710.92
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
51 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
51 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533582
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PF50WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RS3E135BNGZETB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7459
参考库存:48115
DCP53-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
2,500:¥1.00683
参考库存:117338
2N2907AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥67.235
10:¥60.5454
25:¥55.1666
100:¥49.7878
参考库存:5625
STB34N50DM2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:4847
SIHP16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥45.2565
10:¥37.4934
100:¥30.8942
250:¥29.8885
500:¥26.8149
参考库存:9819

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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