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晶体管
SPP04N60C3XKSA1参考图片

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SPP04N60C3XKSA1

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库存：4,884(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
1,000
¥6.0229
6022.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.4 S
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58.5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP000681024 SPP04N60C3
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP04N60C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP33N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:6762
BCP53-16,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:171484
F4-150R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:1871
IPB65R310CFDA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:6773
IKZ75N65NH5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥61.3929
10:¥55.5508
25:¥52.9405
100:¥45.9458
参考库存:2975

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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