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晶体管
SIS407ADN-T1-GE3参考图片

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SIS407ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:45,997(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.537
55.37
100
¥4.1923
419.23
500
¥3.4691
1734.55
1,000
¥2.8928
2892.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
112 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SIS407ADN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.9157
10:¥7.6049
100:¥5.8421
500:¥5.1641
800:¥4.0793
参考库存:12858
晶体管
MOSFET PFET XLLGA3 20V 2A 1.6OHM
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
8,000:¥1.4577
24,000:查看
参考库存:37210
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:28517
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
参考库存:24639
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 3.15 mOhms
1:¥6.0681
10:¥5.0398
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
1,500:¥2.6103
参考库存:12041
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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