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分立半导体模块
BSM300D12P2E001参考图片

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BSM300D12P2E001

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 分立半导体模块 300A SiC Power Module
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数量单价合计
1
¥4,913.4547
4913.4547
5
¥4,617.3947
23086.9735
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power MOSFET Modules
类型
SiC Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 22 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSMx
封装
Bulk
配置
Half-Bridge
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
ROHM Semiconductor
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
典型延迟时间
80 ns
下降时间
65 ns
Id-连续漏极电流
300 A
Pd-功率耗散
1875 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
上升时间
70 ns
工厂包装数量
4
子类别
Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间
250 ns
典型接通延迟时间
80 ns
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
BSM300D12P2E001
商品其它信息
优势价格,BSM300D12P2E001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
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1:¥776.31
10:¥739.359
25:¥722.6011
50:¥705.7754
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100:¥468.5658
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1:¥277.6975
5:¥268.3298
10:¥259.6401
25:¥240.125
参考库存:5454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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