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分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power MOSFET Modules
类型	MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-227-4
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
配置	Single
商标	Vishay Semiconductors
晶体管极性	N-Channel
下降时间	118 ns
Id-连续漏极电流	287 A
Pd-功率耗散	937 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻	4.7 mOhms
上升时间	212 ns
工厂包装数量	10
子类别	Discrete Semiconductor Modules
商标名	ThunderFET
典型关闭延迟时间	134 ns
典型接通延迟时间	76 ns
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	1.8 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-VSKH91/06	Vishay Semiconductors	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 600 Volt 95 Amp 2094 Amp IFSM	1:¥339.0904 5:¥330.0278 10:¥317.2701	参考库存:32393
F1827CCH1000	Crydom	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 25A 380VAC MODULE SCR/DIODE	1:¥526.354 10:¥501.607 25:¥490.081 50:¥478.555 100:¥464.656	参考库存:32398
DD89N12K-K	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Rectifier Diode Module 1200V 89A	1:¥809.9727 5:¥795.1358 10:¥759.3374 25:¥733.9802	参考库存:5496
F1842RD400	Crydom	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 MOD DIODE 40A 120VAC	1:¥434.3042 10:¥413.8625 25:¥404.3366 50:¥394.7994 100:¥383.2734	参考库存:32405
APT10M11JVRU2	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - Mosfet	1:¥345.3958 5:¥333.7907 10:¥322.954 25:¥298.6816	参考库存:5893