| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:4423
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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1:¥6,627.45
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参考库存:3013
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥945.6744
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参考库存:36509
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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1:¥354.4584
250:¥354.4584
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参考库存:4116
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥530.7384
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参考库存:36455
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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10:¥301.0546
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参考库存:3927
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥738.2064
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参考库存:36367
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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1:¥2,165.8145
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参考库存:3199
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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1:¥699.6282
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参考库存:3188
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,159.2105
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参考库存:36340
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥329.3385
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参考库存:36269
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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50:¥768.40
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参考库存:36255
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥714.0696
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参考库存:36200
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥4,926.3706
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参考库存:36109
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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1:¥775.9258
250:¥775.9258
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参考库存:3662
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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1:¥699.6282
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参考库存:2481
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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暂无价格
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参考库存:35922
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥879.3547
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参考库存:2691
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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1:¥2,673.4896
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参考库存:2335
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:35760
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